?。ㄒ唬┥暾?qǐng)扶持應(yīng)具備以下條件：

　　1. 在龍崗區(qū)注冊(cè)、納稅，具有獨(dú)立法人資格的集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)。集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)是指從事集成電路產(chǎn)品設(shè)計(jì)（含集成電路設(shè)計(jì)和軟件開發(fā)）的科技型企業(yè)。

　　2. 企業(yè)正常運(yùn)營，研發(fā)活動(dòng)正常開展。

　?。ǘ┙?jīng)核準(zhǔn)符合條件的，給予以下扶持。

　　1. 集成電路IP（知識(shí)產(chǎn)權(quán)模塊）復(fù)用及EDA軟件扶持。

　?。?）給予不超過上一年使用正版IP或購買EDA軟件實(shí)際發(fā)生金額50%、單個(gè)項(xiàng)目最高100萬元扶持。

　?。?）同一企業(yè)每年累計(jì)獲得的集成電路IP（知識(shí)產(chǎn)權(quán)模塊）復(fù)用及EDA軟件扶持總額不超過300萬元。

　　2. 流片扶持。

　?。?）給予不超過上一年MPW流片（含掩膜版）實(shí)際發(fā)生金額50%、單個(gè)項(xiàng)目最高100萬元扶持。同一企業(yè)每年累計(jì)獲得扶持總額不超過300萬元。

　　（2）對(duì)于完成小于90nm全掩膜（Full Mask）工程產(chǎn)品流片的項(xiàng)目，給予不超過流片費(fèi)用（含掩膜版）30%的扶持。其中，工藝制程小于90nm、大于45nm（不含）的，單個(gè)項(xiàng)目最高扶持50萬元；小于45nm、大于28nm（不含）的，單個(gè)項(xiàng)目最高扶持200萬元；小于28nm的，單個(gè)項(xiàng)目最高扶持300萬元。同一項(xiàng)目只扶持1次，同一企業(yè)每年累計(jì)獲得扶持總額不超過500萬元。

　　3. 測(cè)試驗(yàn)證分析扶持。

　　（1）在龍崗區(qū)外測(cè)試驗(yàn)證分析的，給予不超過上一年IC工程測(cè)試驗(yàn)證、產(chǎn)品分析項(xiàng)目實(shí)際發(fā)生金額50%、單個(gè)項(xiàng)目最高50萬元扶持。

　　（2）在龍崗區(qū)內(nèi)測(cè)試驗(yàn)證分析的，給予不超過上一年IC工程測(cè)試驗(yàn)證、產(chǎn)品分析項(xiàng)目實(shí)際發(fā)生金額60%、單個(gè)項(xiàng)目最高50萬元扶持。

　?。?）同一企業(yè)每年累計(jì)獲得扶持總額不超過200萬元。

　　4. 同一企業(yè)每年累計(jì)獲得上述集成電路扶持總額不超過600萬元。